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CMOS工艺

资料（1个）

 半导体制造工艺

 
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本资料系统阐释从裸硅片到成品晶圆的完整CMOS工艺流程，内容聚焦十大核心制造区域——光刻、干法刻蚀、湿法工艺、化学机械抛光、化学气相沉积、物理气相沉积、扩散、离子注入、计量与实时缺陷分析，通过3D模型与分步图解详解材料添加、去除、图形化及电学特性调控等关键操作。
作者：micron  
发布时间：2025-11-07
关键字：半导体制造  CMOS工艺  晶圆加工  
共1页 总数：1条
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